ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振

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ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振

频率：24MHz

尺寸：3.2mm x 2.5mm

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订购热线：0755-27838351

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ILSI晶振规格	单位	ILCX13晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	24MHz	标准频率，可提供其他频率
储存温度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±30ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.kyoceracrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	40Ω max	@25°C
频率老化	f_age	±3×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振，在使用ILSI晶振时应注意以下事项:

所有产品的共同点

1.抗冲击：指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

2.辐射：将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

3.化学制剂 / pH值环境：请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解系无源晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振

4.粘合剂：请勿使用可能导致贴片晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）

5.卤化合物：请勿在卤素气体环境下使用SMD晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6.静电：过高的静电可能会损坏晶体谐振器,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作

ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振，艾尔西晶振公司的目标是保证产品继续满足客户要求的同时对环境的影响降到最小，在生产过程中不断节约能源和资源，努力实现环境管理体系与环境行为持续改进。承诺保护环境，重视员工、客户和公众的健康和安全。我们从事任何活动，都要以注重安全和环保方式，并考虑到生态系统的复杂性和相关性。建立目标指标、监测程序，利用的管理手段，应用节约成本的技术，持续改进我们的环境表现。我们承诺采取积极的、预防性的战略管理来对自然环境和地方社区的影响最小化。

ILSI美国晶振ILCX13,ILCX13-FF5F18-24.0000无源晶振，环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现，确认支撑着本方针的成绩。我们将向我们的员工提供信息，以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训。

1.为环境保护和降低成本开发绿色技术。

2.为协调发展，共同参与社会的环境、健康与安全的改善活动。

3.在石英晶振，晶体谐振器，晶体振荡器，无源晶振，有源晶振，温补晶振，压控晶振等产品的整个生命周期内确定、评价和改进重要的环境、健康和安全因素。

4.建立和维护以国际协定和国家环境、健康与安全法律法规为基础的企业内部标准。

5.为防止事故的发生和制造清洁的生产环境，开发生产过程的安全技术，明确紧急状态反应的职责。

ILCX13

ILSI原厂型号	供应商	产品类别	频率	频率容差	频率稳定性	负载	工作温度
ILCX13-FF5F18-24.0000	ILSI 晶振	石英晶体	24	±30	±30	18	-40~85
ILCX13-FF3F12-14.7456	ILSI 晶振	石英晶体	14.7456	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-FF3F18-24.5760	ILSI 晶振	石英晶体	24.576	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-FF5F12-18.4320	ILSI 晶振	石英晶体	18.432	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF5F12-40.0000	ILSI 晶振	石英晶体	40	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF3F12-30.0000	ILSI 晶振	石英晶体	30	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-FF5F18-30.0000	ILSI 晶振	石英晶体	30	±30	±30	18	-40~85
ILCX13-FF5F12-48.0000	ILSI 晶振	石英晶体	48	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF3F12-26.0000	ILSI 晶振	石英晶体	26	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-FF3F12-12.0000	ILSI 晶振	石英晶体	12	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-HH3F12-27.0000	ILSI 晶振	石英晶体	27	±20	±20	12	-20~70
ILCX13-HH3F12-14.31818	ILSI 晶振	石英晶体	14.31818	±20	±20	12	-20~70
ILCX13-HH3F18-25.0000	ILSI 晶振	石英晶体	25	±20	±20	18	-20~70
ILCX13-FF3F18-25.0000	ILSI 晶振	石英晶体	25	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-FF5F18-32.0000	ILSI 晶振	石英晶体	32	±30	±30	18	-40~85
ILCX13-FF3F12-12.2880	ILSI 晶振	石英晶体	12.288	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-HH3F12-30.0000	ILSI 晶振	石英晶体	30	±20	±20	12	-20~70
ILCX13-HH3F12-14.7456	ILSI 晶振	石英晶体	14.7456	±20	±20	12	-20~70
ILCX13-HH3F18-26.0000	ILSI 晶振	石英晶体	26	±20	±20	18	-20~70
ILCX13-FF3F18-12.2880	ILSI 晶振	石英晶体	12.288	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-FF3F18-26.0000	ILSI 晶振	石英晶体	26	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-HH3F18-24.0000	ILSI 晶振	石英晶体	24	±20	±20	18	-20~70
ILCX13-FF3F18-33.0000	ILSI 晶振	石英晶体	33	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-FF3F18-16.3840	ILSI 晶振	石英晶体	16.384	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-HH3F12-20.0000	ILSI 晶振	石英晶体	20	±20	±20	12	-20~70
ILCX13-FF5F18-26.0000	ILSI 晶振	石英晶体	26	±30	±30	18	-40~85
ILCX13-FF3F12-16.3840	ILSI 晶振	石英晶体	16.384	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-FF3F12-33.0000	ILSI 晶振	石英晶体	33	±30	±30	12	-20~70
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ILCX13-HH3F12-16.0000	ILSI 晶振	石英晶体	16	±20	±20	12	-20~70
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ILCX13-FF3F12-18.4320	ILSI 晶振	石英晶体	18.432	±30	±30	12	-20~70
ILCX13-FF3F12-40.0000	ILSI 晶振	石英晶体	40	±30	±30	12	-20~70
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ILCX13-HH3F12-33.0000	ILSI 晶振	石英晶体	33	±20	±20	12	-20~70
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ILCX13-FF3F18-16.0000	ILSI 晶振	石英晶体	16	±30	±30	18	-20~70
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ILCX13-FF5F12-12.2880	ILSI 晶振	石英晶体	12.288	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF5F12-26.0000	ILSI 晶振	石英晶体	26	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF5F18-40.0000	ILSI 晶振	石英晶体	40	±30	±30	18	-40~85
ILCX13-FF3F18-30.0000	ILSI 晶振	石英晶体	30	±30	±30	18	-20~70
ILCX13-HH3F18-16.0000	ILSI 晶振	石英晶体	16	±20	±20	18	-20~70
ILCX13-FF5F12-12.0000	ILSI 晶振	石英晶体	12	±30	±30	12	-40~85
ILCX13-FF5F12-25.0000	ILSI 晶振	石英晶体	25	±30	±30	12	-40~85

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: 7Q-26.000MBS-T,7Q系列晶振,3.3V晶体,TXC晶技振荡器; 7Q-26.000MBS-T,7Q系列晶振,3.3V晶体,TXC晶技振荡器，物料编码为7Q-26.000MBS-T，型号为7Q，电压为3.3V晶体，TXC晶技振荡器，VCTCXO晶振，频率为26MHz，输出为Clipped Sine Wave，精度为±2ppm，台湾晶技晶振，工作温度范围：-30℃~85℃，尺寸为3.20*2.50*1.10mm，石英晶体振荡器，四脚晶振，3225振荡器，贴片晶振，特点：低相噪，低相控，低衰减，应用在车载部分零件，飞机部分零件，安全设备系统。

: PM2DF13 25.000000|PM|7050晶振|无源晶振; PM2DF13 25.000000|PM|7050晶振|无源晶振,编码PM2DF13 25.000000,型号PM,MTRONPTI晶振,频率为25.000000MHZ,负载电容为18PF,精度±15ppm,尺寸7.0*5.0*1.3mm,温度范围:-40℃-85℃, 石英晶体谐振器,贴片晶振,无源晶振,7050晶振,广泛的应用于摄像头,打印机,相机,智能相机,手机相机,游戏手柄,数码相机,无人飞机等.

: M13804MP 15.000000|M1380|15MHZ|MTRONPTI晶振; M13804MP 15.000000|M1380|15MHZ|MTRONPTI晶振,编码M13804MP 15.000000,型号M1380,两脚贴片晶振,MTRONPTI晶振,频率为15.000000MHZ,负载电容为20PF,精度±100ppm,尺寸3.7*8.0*1.75mm,温度范围:-55℃-125℃, 无源晶振,贴片晶振,石英晶体谐振器,应用于电饭煲,微波炉,热水器,洗衣机,空调,智能电风扇,烤箱,电磁炉等.