Diodes晶振推出了DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器,编码DGD0579UFN-7

DGD0579U的100V浮动高边驱动器为要求苛刻的大功率应用提供了更大的灵活性。较短的传播延迟（通常为60ns）和延迟匹配（在10ns 内）可实现更高的开关速度并减少死区时间，从而实现更小、更高效的电源系统。
先进的MOSFET保护机制直接集成到器件中，与传统的分立解决方案相比，提高了系统可靠性，优化了电路板空间使用，并进一步减少了组件数量。这些机制包括防止交叉传导，以便高侧和低侧MOSFET不会同时导通，以及用于解决潜在电源损耗的欠压锁定 (UVLO)。
台产晶振DGD0579U具有用于电源管理的使能引脚和超低(<1μA)待机电流，有助于延长电池运行时间。DGD0579U与来自微控制器和PWM控制器IC的控制信号兼容，支持TTL和CMOS逻辑电平输入（低至3.3V）。
DGD0579U栅极驱动器采用紧凑型W-DFN3030-10封装，占位面积为3mmx3mm，轮廓高度为0.75mm.

DGD0579U是一款带有内部自举二极管的高频高侧和低侧栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。在自举配置中，浮动高边驱动器的额定电压高达100V。DGD0579U逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，可轻松与MCU连接。用于高侧和低侧的UVLO将在断电时保护MOSFET。防止交叉传导逻辑还通过防止HO和LO同时导通来保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为了尽量减少空间，

DGD0579U特征：
100V浮动高边驱动器
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
5A 拉电流/2.5A 灌电流输出能力
内部自举二极管
高侧和低侧驱动器的欠压锁定
延迟匹配最大值为10ns
传播延迟典型值为60ns
逻辑输入（HIN、LIN和EN）3.3V能力
超低待机电流 (<1µA)
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准 
不含卤素和锑。“绿色”设备 
对于需要特定变更控制的汽车应用 （即符合 AEC-Q100/101/200、PPAP 并在 IATF 16949 认证设施中制造的零件）

应用程序：DC-DC转换器，电机控制，电池供电的手动工具，D类功率放大器

台产石英陶瓷面SMD晶体DGD0579U是一款高频高端和低端门电路，具有能够驱动N沟道的内部自举二极管的驱动器，半桥配置的MOSFETs。浮动高端驱动器在自举配置中额定电压高达100V。 DGD0579U逻辑输入与标准TTL和兼容 CMOS电平(低至3.3V)，可轻松与MCU接口。UVLO高端和低端将保护MOSFETs的电源损耗。 交叉传导防止逻辑还通过以下方式保护MOSFETs 防止HO和LO同时开启。 快速且匹配良好的传播延迟允许更高的切换 频率，实现更小、更紧凑的功率开关设计， 使用较小的相关部件。为了最小化空间，内部内置自举二极管，DGD0579U采用W-DFN3030-10封装，在扩展的-40℃至+125℃温度范围。Diodes晶振推出了DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器，编码DGD0579UFN-7